We proposed a novel Al Ga N/Ga N enhancement-mode(E-mode) high electron mobility transistor(HEMT) with a dual-gate struc......

在蓝宝石衬底上制备了栅长Lg为0.25μm的增强型Al_2O_3/AlGaN/GaN MIS-HEMTs,采用刻蚀凹栅与ALD（原子层淀积）Al_2O_3介质层的方法研......

优化了GaAs基InGaP/AlGaAs/InGaAs赝配高电子迁移率晶体管（PHEMT）的外延结构,有利于获得增强型PHEMT的正向阈值电压.采用光学接触式......

介绍了增强型InGaP／AlGaAs／InGaAs PHEMT小信号等效电路中元件参数值的提取方法，并利用IC-CAP软件EEHEMT1模型提取了参数．利用ADS软件......